HARRIS RFP4N06

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220

Pitch Spacing

2.54mm

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-

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8-MSOP

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

25W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-