Harris Corporation 2N6767
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2N6767
1050-2N6767
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
2N6767详情
Harris Corporation 2N6767重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
供应商器件包装
TO-3
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mOhm @ 7.75A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3000 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)
350 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
2N6767拓展信息
Harris Corporation
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