Harris Corporation 2N6792TX

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-205AF (TO-39)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

20W (Tc)

RoHS

Non-Compliant

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Manufacturer Part Number

2N6792TX

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

2 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

400 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-