Harris Corporation BUZ41A

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Tc)

Product Status

活跃

Package

Bulk

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ41A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-