Harris Corporation HGTD3N60B3S9A
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HGTD3N60B3S9A
1050-HGTD3N60B3S9A
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
1最小包装量--
HGTD3N60B3S9A详情
Harris Corporation HGTD3N60B3S9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
供应商器件包装
TO-252-3 (DPAK)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
7 A
Test Conditions
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
RoHS
Non-Compliant
Package Description
PLASTIC PACKAGE-4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
16 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
220 ns
Manufacturer Part Number
HGTD3N60B3S9A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.6
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
33.3 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 3.5A
集电极电流-最大值(IC)
7 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
600 V
闸门收费
21 nC
集极脉冲电流(Icm)
20 A
Td(开/关)@25°C
18ns/105ns
开关能量
66μJ (on), 88μJ (off)
反向恢复时间(trr)
16 ns
HGTD3N60B3S9A拓展信息
Harris Corporation
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