Harris Corporation HGTD7N60B3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

供应商器件包装

I-PAK

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

14 A

Test Conditions

480V, 7A, 50Ohm, 15V

RoHS

Non-Compliant

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGTD7N60B3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.64

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

输入类型

Standard

功率 - 最大

60 W

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 7A

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

30 nC

集极脉冲电流（Icm）

56 A

Td（开/关）@25°C

26ns/130ns

开关能量

160μJ (on), 120μJ (off)