Harris Corporation HM4-6516B/883
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HM4-6516B/883
1050-HM4-6516B/883
存储器
24-CDIP (0.600", 15.24mm)
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2K X 8 CMOS RAM
--最小包装量--
HM4-6516B/883详情
Harris Corporation HM4-6516B/883重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
24-CDIP (0.600", 15.24mm)
表面安装
YES
供应商器件包装
24-CERDIP
终端数量
32
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Base Product Number
HM4-6516
Package Description
,
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
2000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HM4-6516B/883
Number of Words
2048 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.69
系列
-
操作温度
-55°C ~ 125°C (TA)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
附加功能
地址接头
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CQCC-N32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
16Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
120 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
170ns
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
2K x 8
HM4-6516B/883拓展信息
Harris Corporation
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