HM4-6516B/883
HM4-6516B/883

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Harris Corporation HM4-6516B/883

  • 收藏
  • 对比

型号

HM4-6516B/883

utmel 编号

1050-HM4-6516B/883

商品类别

存储器

封装

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2K X 8 CMOS RAM

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
HM4-6516B/883
HM4-6516B/883 Harris Corporation 2K X 8 CMOS RAM

请发送询价,我们将立即回复。

库存:356

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

HM4-6516B/883详情

Harris Corporation HM4-6516B/883重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    24-CDIP (0.600", 15.24mm)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    24-CERDIP

  • 终端数量

    32

  • 厂商

    Harris Corporation

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Base Product Number

    HM4-6516

  • Package Description

    ,

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Number of Words Code

    2000

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    120 ns

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HM4-6516B/883

  • Number of Words

    2048 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.69

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C (TA)

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    地址接头

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-CQCC-N32

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 内存大小

    16Kbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    120 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2KX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    170ns

  • 记忆密度

    16384 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 组织的记忆

    2K x 8

0个相似型号

HM4-6516B/883拓展信息

MWS5101AEL2
MWS5101AEL2

Harris Corporation

HM3-6504S-9
HM3-6504S-9

Harris Corporation

MWS5114D2
MWS5114D2

Harris Corporation

HM1-65642C-9
HM1-65642C-9

Harris Corporation

HM4-6516-9
HM4-6516-9

Harris Corporation

HM1-6508/883
HM1-6508/883

Harris Corporation

HM1-6514S-9
HM1-6514S-9

Harris Corporation

CDP1824CDX
CDP1824CDX

Harris Corporation

CDP1823EX
CDP1823EX

Harris Corporation

HM3-7610-5
HM3-7610-5

Harris Corporation

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z