注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.333942
10
¥11.635792
100
¥10.977166
500
¥10.355816
1000
¥9.769641
Harris Corporation IRF231
- 收藏
- 对比
IRF231
1050-IRF231
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
大陆
立即发货

N-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF231详情
Harris Corporation IRF231重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
供应商器件包装
TO-3
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
150 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRF231拓展信息
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation






哦! 它是空的。