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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.224947
10
¥9.646175
100
¥9.100167
500
¥8.585067
1000
¥8.09912
Harris Corporation IRF512
- 收藏
- 对比
IRF512
1050-IRF512
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF512详情
Harris Corporation IRF512重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
740mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
135 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRF512拓展信息
Harris Corporation
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