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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.738349
10
¥4.47014
100
¥4.21711
500
¥3.978407
1000
¥3.753217
Harris Corporation IRF523
- 收藏
- 对比
IRF523
1050-IRF523
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF523详情
Harris Corporation IRF523重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-220
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A (Tc)
Product Status
活跃
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
80 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRF523拓展信息
Harris Corporation
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