Harris Corporation IRF647

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

NO

供应商器件包装

D2PAK (TO-263)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRF647

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

13 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

340mOhm @ 8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

275 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.34 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

275 V

雪崩能量等级（Eas）

550 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown