Harris Corporation IRF823
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IRF823
1050-IRF823
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
IRF823详情
Harris Corporation IRF823重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4Ohm @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
450 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRF823拓展信息
Harris Corporation
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