注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.517493
10
¥5.205189
100
¥4.910555
500
¥4.632597
1000
¥4.370375
Harris Corporation IRFD112
- 收藏
- 对比
IRFD112
1050-IRFD112
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-DIP (0.300", 7.62mm)
大陆
立即发货

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFD112详情
Harris Corporation IRFD112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件包装
4-DIP, Hexdip
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
RoHS
Non-Compliant
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
135 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRFD112拓展信息
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation






哦! 它是空的。