Harris Corporation IRFD122
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IRFD122
1050-IRFD122
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
IRFD122详情
Harris Corporation IRFD122重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件包装
4-DIP, Hexdip
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mOhm @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
450 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
IRFD122拓展信息
Harris Corporation
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