Harris Corporation IRFR121

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-252-3 (DPAK)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A

RoHS

Non-Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFR121

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.37

Drain Current-Max (ID)

8.4 A

系列

-

操作温度

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

80 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

0.27 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-