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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.219731
10
¥4.924275
100
¥4.645539
500
¥4.382586
1000
¥4.13451
Harris Corporation IRFR91109A
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- 对比
IRFR91109A
1050-IRFR91109A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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P-CHANNEL POWER MOSFET
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¥
总价: ¥
IRFR91109A详情
Harris Corporation IRFR91109A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
IRFR91109A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.08
Drain Current-Max (ID)
3.1 A
系列
*
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFR91109A拓展信息
Harris Corporation
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