Harris Corporation IRFU421

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

供应商器件包装

I-PAK

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFU421

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

未说明

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

450 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A

DS 击穿电压-最小值

450 V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-