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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.694271
10
¥11.032336
100
¥10.40786
500
¥9.818733
1000
¥9.262956
Harris Corporation RFL1N12
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- 对比
RFL1N12
1050-RFL1N12
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-205AF Metal Can
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RFL1N12详情
Harris Corporation RFL1N12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AF Metal Can
供应商器件包装
TO-205AF (TO-39)
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
8.33W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)
120 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
RFL1N12拓展信息
Harris Corporation
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