RFD20N03
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Harris Corporation RFD20N03

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型号

RFD20N03

utmel 编号

1050-RFD20N03

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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RFD20N03
RFD20N03 Harris Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET

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RFD20N03详情

Harris Corporation RFD20N03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    I-PAK

  • Power Dissipation (Max)

    90W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250μA

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Harris Corporation

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25mOhm @ 20A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1150 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    75 nC @ 20 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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RFD20N03拓展信息

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