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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.528284
10
¥6.158761
100
¥5.81015
500
¥5.481269
1000
¥5.171013
Harris Corporation RFD7N10LE
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- 对比
RFD7N10LE
1050-RFD7N10LE
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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¥
总价: ¥
RFD7N10LE详情
Harris Corporation RFD7N10LE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
300mOhm @ 7A, 5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
+10V, -8V
场效应管特性
-
RFD7N10LE拓展信息
Harris Corporation
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