Harris Corporation RFP2N10
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RFP2N10
1050-RFP2N10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL, MOSFET
1最小包装量--
RFP2N10详情
Harris Corporation RFP2N10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.05Ohm @ 2A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
RFP2N10拓展信息
Harris Corporation
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