HARRIS SEMICONDUCTOR HM1-65262B-9

表面安装

NO

终端数量

20

Operating Temperature (Max.)

85°C

Operating Temperature (Min.)

-40°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-GDIP-T20

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.116mA

组织结构

16KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.00002A

记忆密度

16384 bit

访问时间（最大）

70 ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2V

输出启用

NO

RoHS状态

Non-RoHS Compliant