Harris Semiconductor HM3-65162C-9
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HM3-65162C-9
1050-HM3-65162C-9
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PDIP24,
1最小包装量--
HM3-65162C-9详情
Harris Semiconductor HM3-65162C-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
DIP, DIP24,.6
Access Time-Max
90 ns
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP24,.6
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
TTL兼容输入和输出
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0004 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
HM3-65162C-9拓展信息
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation







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