HARRIS SEMICONDUCTOR RFA100N05E

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

MEGAFET

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-093AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

240W

关断时间-最大值（toff)

100ns

接通时间-最大值(ton)

60ns

环境耗散-最大值

240W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant