HARRIS SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

MEGAFET, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16A

漏极-源极导通最大电阻

0.047Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

90W

关断时间-最大值（toff)

115ns

接通时间-最大值(ton)

100ns

环境耗散-最大值

90W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant