Hirose ML55-4P.P-2.8NS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.7A

厂商

International Rectifier

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

逻辑电平门