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Hitachi 2SJ295

Name: 2SJ295
Brand: Hitachi
SKU: 1094-2SJ295
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SJ295

品牌

Hitachi

utmel 编号

1094-2SJ295

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN

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2SJ295 Hitachi Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN

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2SJ295详情

技术参数

Hitachi 2SJ295重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

2SJ295
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Hitachi Ltd
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

HITACHI LTD
Risk Rank

7.91
Part Package Code

TO-220FM
Drain Current-Max (ID)

30 A
ECCN 代码

EAR99
附加功能

雪崩额定
子类别

其他晶体管
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A
漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

35 W
环境耗散-最大值

35 W

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2SJ295拓展信息

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