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技术文档
型号
2SK1669
品牌
HITACHI
utmel 编号
1094-2SK1669
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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2SK1669详情
技术参数
HITACHI 2SK1669重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Hitachi Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Risk Rank
5.37
Part Package Code
TO-3P
Drain Current-Max (ID)
30 A
ECCN 代码
EAR99
温度系数
50 ppm/K
电阻
26.1 Ohm
子类别
FET 通用电源
额定功率
0.125 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
电阻器类型
耐硫
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.095 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
电阻公差
0.5
2SK1669拓展信息
公司资质
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