2SK975详情
HITACHI 2SK975重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SK975
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
TO-92
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Risk Rank
5.35
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.9 W
2SK975拓展信息
HITACHI
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