HITACHI 3SK186FI

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

0.035 A

Risk Rank

5.3

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer Part Number

3SK186FI

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR