HITACHI 3SK197

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

0.035 A

Risk Rank

5.23

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer Part Number

3SK197

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

0.04 pF

最高频段

甚高频段

功率增益-最小值(Gp)

28 dB