HITACHI DHM3UM80

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TSON-8-7

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

41.6W (Tc)

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

DHM3UM80

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.64

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolGaN™

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

输出电流-最大值

0.003 A

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.6V @ 530µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

87.7 pF @ 400 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

-10V

Rep Pk反向电压-最大值

8000 V

场效应管特性

-

反向恢复时间-最大值

0.04 µs