HAT2141H-EL-E详情
HITACHI HAT2141H-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HAT2141H-EL-E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
LFPAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Manufacturer Package Code
PTZZ0005DA-A5
Risk Rank
7.97
Drain Current-Max (ID)
15 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
20
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSSO-G4
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15 A
漏极-源极导通最大电阻
0.032 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
HAT2141H-EL-E拓展信息
HITACHI
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