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技术文档
型号
HM514100BS-8
品牌
HITACHI
utmel 编号
1094-HM514100BS-8
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
4M X 1 Fast Page Dram 80 Ns PDSO20
起订量
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HM514100BS-8详情
技术参数
HITACHI HM514100BS-8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
20
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SOJ, SOJ20/26,.34
Package Style
小概要
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ20/26,.34
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
80 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.87
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Hitachi Ltd
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
4194304 words
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-J20
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
4MX1
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
4194304 bit
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
1024
访问模式
快速页面
自我刷新
NO
宽度
7.62 mm
长度
16.9 mm
HM514100BS-8拓展信息
公司资质
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