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MBM150GS6AW

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Hitachi MBM150GS6AW

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对比

型号

MBM150GS6AW

品牌

utmel 编号

1094-MBM150GS6AW

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

起订量

--最小包装量--

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MBM150GS6AW

MBM150GS6AW Hitachi Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

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MBM150GS6AW详情

技术参数

Hitachi MBM150GS6AW重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

7
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)

300 ns
Turn-off Time-Nom (toff)

600 ns
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

MBM150GS6AW
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Hitachi Ltd
Number of Elements

2
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

HITACHI LTD
Risk Rank

5.22
附加功能

HIGH SPEED, LOW NOISE
子类别

绝缘栅BIP晶体管
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-XUFM-X7
资历状况

不合格
配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

电源控制
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)

450 W
集电极电流-最大值(IC)

150 A
集电极-发射器电压-最大值

600 V
栅极-发射极电压-最大值

20 V
VCEsat-最大值

2.5 V

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