我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
Hitachi Ltd 2SJ186CYTR
- 收藏
- 对比
2SJ186CYTR
1094-2SJ186CYTR
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
2SJ186CYTR详情
Hitachi Ltd 2SJ186CYTR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
12 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2SJ186CYTR拓展信息
哦! 它是空的。