2SJ186CYTR
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Hitachi Ltd 2SJ186CYTR

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型号

2SJ186CYTR

utmel 编号

1094-2SJ186CYTR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ186CYTR Hitachi Ltd Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ186CYTR详情

Hitachi Ltd 2SJ186CYTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    HITACHI LTD

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

  • Drain Current-Max (ID)

    0.5 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    12 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Hitachi Ltd 2SJ186CYTR.

2SJ186CYTR拓展信息

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