Hitachi Ltd 2SK1880S
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2SK1880S
1094-2SK1880S
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
2SK1880S详情
Hitachi Ltd 2SK1880S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
2SK1880S拓展信息
Hitachi Ltd
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