3SK197WI
3SK197WI

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Hitachi Ltd 3SK197WI

  • 收藏
  • 对比

型号

3SK197WI

utmel 编号

1094-3SK197WI

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
3SK197WI
3SK197WI Hitachi Ltd Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

3SK197WI详情

Hitachi Ltd 3SK197WI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    HITACHI LTD

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Drain Current-Max (ID)

    0.035 A

  • Package Style

    小概要

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Number of Elements

    1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    12 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Hitachi Ltd 3SK197WI.

3SK197WI拓展信息

2SK439-F
2SK439-F

Hitachi Ltd

2SK2113YY-TL
2SK2113YY-TL

Hitachi Ltd

3SK233XW
3SK233XW

Hitachi Ltd

PM4550C
PM4550C

Hitachi Ltd

2SK580L
2SK580L

Hitachi Ltd

2SK3154
2SK3154

Hitachi Ltd

HAT3008RJ
HAT3008RJ

Hitachi Ltd

2SK2426
2SK2426

Hitachi Ltd

2SJ363PY
2SJ363PY

Hitachi Ltd

PM50150K
PM50150K

Hitachi Ltd

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z