H5N2510DL
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Hitachi Ltd H5N2510DL

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型号

H5N2510DL

utmel 编号

1094-H5N2510DL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

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H5N2510DL Hitachi Ltd Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

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H5N2510DL详情

Hitachi Ltd H5N2510DL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    HITACHI LTD

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    5 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.97 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20 A

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Hitachi Ltd H5N2510DL.

H5N2510DL拓展信息

2SK439-F
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2SK2113YY-TL
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3SK233XW
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2SK3154
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2SK2426
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2SJ363PY
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PM50150K
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