HITACHI LTD HAF1002(S)

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN THE OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50W