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技术文档
型号
HX6228/TBFT
品牌
Honeywell
utmel 编号
1114-HX6228/TBFT
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
HX6228/TBFT datasheet pdf and Unclassified product details from Honeywell stock available at utmel
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HX6228/TBFT详情
技术参数
Honeywell HX6228/TBFT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
DFP, FL32,.6
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
128000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
FL32,.6
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HX6228TBFT
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
霍尼韦尔微电子和精密传感器
Risk Rank
5.25
Part Package Code
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFP-F32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.006 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.81 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0007 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2.5 V
总剂量
300k Rad(Si) V
宽度
15.24 mm
长度
20.828 mm
达到SVHC
unknown
HX6228/TBFT拓展信息
公司资质
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