HY1607P
HY1607P

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

HUAYI HY1607P

  • 收藏
  • 对比

型号

HY1607P

品牌

HUAYI

utmel 编号

2924-HY1607P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

68V 80A 6.8mΩ@10V,40A 115W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
HY1607P
HY1607P HUAYI 68V 80A 6.8mΩ@10V,40A 115W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

HY1607P详情

HUAYI HY1607P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    68V

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    6.8mΩ@10V,40A

  • Power Dissipation (Pd)

    115W

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    3V@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    277pF@25V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    3.203nF@25V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    84nC@10V

  • Package

    Tube-packed

  • 操作温度

    -55℃~+175℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    80A

0个相似型号

技术文档: HUAYI HY1607P.

HY1607P拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z