HYG035N06LS1D
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HUAYI HYG035N06LS1D

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型号

HYG035N06LS1D

品牌

HUAYI

utmel 编号

2924-HYG035N06LS1D

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

65V 150A 3.5mΩ@10V,20A 183W 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

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HYG035N06LS1D
HYG035N06LS1D HUAYI 65V 150A 3.5mΩ@10V,20A 183W 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

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HYG035N06LS1D详情

HUAYI HYG035N06LS1D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    65V

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    3.5mΩ@10V,20A

  • Power Dissipation (Pd)

    183W

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    1.5V@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    112pF@25V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    3.687nF@25V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    [email protected]

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55℃~+175℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    150A

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HYG035N06LS1D拓展信息

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