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技术文档
型号
GM71V18160CT6
品牌
Hynix
utmel 编号
2287-GM71V18160CT6
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
GM71V18160CT6 datasheet pdf and Unclassified product details from Hynix stock available at utmel
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GM71V18160CT6详情
技术参数
Hynix GM71V18160CT6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
44
Package Style
小概要
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44/50,.46,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
60 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
LG SEMICON CO LTD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
LG Semicon Co Ltd
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
1048576 words
Manufacturer Part Number
GM71V18160CT-6
Rohs Code
无
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.17 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
1024
访问模式
快速页面
自我刷新
NO
GM71V18160CT6拓展信息
公司资质
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