Hynix GM71VS18160CLT6

表面安装

YES

终端数量

44

Package Style

小概要

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44/50,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

60 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GM71VS18160CLT-6

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

LG Semicon Co Ltd

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

LG SEMICON CO LTD

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.17 mA

组织结构

1MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00015 A

记忆密度

16777216 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

快速页面 DRAM

刷新周期

1024

访问模式

快速页面

自我刷新

YES

达到SVHC

unknown