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技术文档
型号
H55S5122DFR-60M
品牌
Hynix
utmel 编号
2287-H55S5122DFR-60M
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
起订量
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H55S5122DFR-60M详情
技术参数
Hynix H55S5122DFR-60M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
90
Package Description
FBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-30 °C
Access Time-Max
5.4 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.81
JESD-609代码
e1
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0003 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
达到SVHC
compliant
H55S5122DFR-60M拓展信息
公司资质
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