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技术文档
型号
H5TC2G63FFR-RDA
品牌
Hynix
utmel 编号
2287-H5TC2G63FFR-RDA
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
H5TC2G63FFR-RDA datasheet pdf and Unclassified product details from Hynix stock available at utmel
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H5TC2G63FFR-RDA详情
技术参数
Hynix H5TC2G63FFR-RDA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
96
Package Description
TFBGA, BGA96,9X16,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.195 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
933 MHz
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.63
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.21 mA
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.012 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
访问模式
多库页面突发
自我刷新
宽度
7.5 mm
长度
13 mm
H5TC2G63FFR-RDA拓展信息
公司资质
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