H8ACS0CE0ABR-56M
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Hynix H8ACS0CE0ABR-56M

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型号

H8ACS0CE0ABR-56M

品牌

Hynix

utmel 编号

2287-H8ACS0CE0ABR-56M

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

H8ACS0CE0ABR-56M datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Hynix stock available at utmel

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H8ACS0CE0ABR-56M详情

Hynix H8ACS0CE0ABR-56M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    107

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -30 °C

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Number of Words Code

    16000000

  • Number of Words

    16777216 words

  • Risk Rank

    5.68

  • Package Description

    FBGA-107

  • Ihs Manufacturer

    SK HYNIX INC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Manufacturer Part Number

    H8ACS0CE0ABR-56M

  • 附加功能

    IT ALSO CONTAINS 512MBIT(64MBIT X 8) NAND FLASH OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B107

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    16MX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 内存IC类型

    存储器电路

  • 长度

    13 mm

  • 宽度

    10.5 mm

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H8ACS0CE0ABR-56M拓展信息

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